Samsung добилась успехов в сфере памяти MRAM: Это может в корне изменить весь цифровой мир

Научно-исследовательские отделы корейской корпорации нашли способ проводить вычисления в самой MRAM. Это может коренным образом изменить представление об организации и структуре вычислительных систем.

17.01.2022    
 5202
Автор: Silas Pierce

Samsung добилась успехов в сфере памяти MRAM: Это может в корне изменить весь цифровой мир

Samsung добилась успехов в сфере памяти MRAM: Это может в корне изменить весь цифровой мир

Samsung опубликовала отчет о новых разработках в области технологии магниторезистивной оперативной памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory). Научно-исследовательские отделы корейской корпорации нашли способ проводить вычисления в самой MRAM. Это может коренным образом изменить представление об организации и структуре вычислительных систем.

В классической архитектуре вычисления выполняются в центральном процессоре, а данные хранятся во внутренней памяти, разделенной на ОЗУ и ПЗУ. Процессор и память соединены системной шиной, включающей шины адреса, данных и управления. Идея Samsung заключается в том, что MRAM будет хранить и обрабатывать данные в одном месте, что позволит повысить быстродействие и значительно снизить энергопотребление вычислительного узла.

Сама по себе магниторезистивная память производится несколько лет ведущими компаниями, включая Intel, Samsung или GlobalFoundries. MRAM предлагает производительность DRAM с энергонезависимостью флэш-памяти NAND и может хранить записанные данные многие годы без необходимости подачи питания.

Разумеется, есть и недостатки, самым большим из которых является низкая плотность и невозможность создания микросхем большого объёма. Кроме того, MRAM имеет очень низкое сопротивление по сравнению с конкурирующими технологиями памяти.

Поэтому Samsung изучает возможность использования MRAM на рынках IoT и AI. Конкретный отчет компании связан с нейроморфными компьютерами, моделирующими работу мозга живого существа (примером может служить чип Intel Loihi). Нейроморфным компьютерам не требуется большой объем памяти из-за особенностей их работы.

Что интересно, ученые Samsung смогли положить недостаток низкого сопротивления MRAM в основу вычислений, оперируя понятием «суммы сопротивлений». Специалистам удалось запустить ИИ для классификации изображений на схемах MRAM и достигнуть точности 98% для рукописных цифр и 93% для лиц. В будущем MRAM найдет свое применение в «технологиях чипов искусственного интеллекта с низким энергопотреблением следующего поколения», и нейроморфных вычислениях.


ЕЩЕ В РАЗДЕЛЕ Технологии

НОВОСТИ С ВИДЕО
ВИДЕО
Как превратить велосипед в электробайк за минуту — Kamingo
Как превратить велосипед в электробайк за минуту — Kamingo
30.06.2025   262
ВИДЕО
The Expanse: Osiris Reborn — анонсирован новый sci-fi экшен-RPG
The Expanse: Osiris Reborn — анонсирован новый sci-fi экшен-RPG
10.06.2025   1887
ВИДЕО
Vivo T4 Ultra: анонсирован мощный конкурент флагманов
Vivo T4 Ultra: анонсирован мощный конкурент флагманов
09.06.2025   1935
ВИДЕО
Chrono Odyssey: бета-тест новой MMORPG стартует в июне 2025
Chrono Odyssey: бета-тест новой MMORPG стартует в июне 2025
08.06.2025   2029
ВИДЕО
Resident Evil Requiem выйдет в 2026 году: подробности анонса
Resident Evil Requiem выйдет в 2026 году: подробности анонса
08.06.2025   2019
ПОПУЛЯРНЫЕ НОВОСТИ