12.04.2024
МЫ В СОЦСЕТЯХ:   Страница vashgolos.net в Facebook vashgolos.net в Twitter Страница vashgolos.net в Pinterest
uk en ru

Samsung добилась успехов в сфере памяти MRAM: Это может в корне изменить весь цифровой мир

Научно-исследовательские отделы корейской корпорации нашли способ проводить вычисления в самой MRAM. Это может коренным образом изменить представление об организации и структуре вычислительных систем.

 17.01.2022    
 5051    

Samsung опубликовала отчет о новых разработках в области технологии магниторезистивной оперативной памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory). Научно-исследовательские отделы корейской корпорации нашли способ проводить вычисления в самой MRAM. Это может коренным образом изменить представление об организации и структуре вычислительных систем.

В классической архитектуре вычисления выполняются в центральном процессоре, а данные хранятся во внутренней памяти, разделенной на ОЗУ и ПЗУ. Процессор и память соединены системной шиной, включающей шины адреса, данных и управления. Идея Samsung заключается в том, что MRAM будет хранить и обрабатывать данные в одном месте, что позволит повысить быстродействие и значительно снизить энергопотребление вычислительного узла.

Сама по себе магниторезистивная память производится несколько лет ведущими компаниями, включая Intel, Samsung или GlobalFoundries. MRAM предлагает производительность DRAM с энергонезависимостью флэш-памяти NAND и может хранить записанные данные многие годы без необходимости подачи питания.

Разумеется, есть и недостатки, самым большим из которых является низкая плотность и невозможность создания микросхем большого объёма. Кроме того, MRAM имеет очень низкое сопротивление по сравнению с конкурирующими технологиями памяти.

Поэтому Samsung изучает возможность использования MRAM на рынках IoT и AI. Конкретный отчет компании связан с нейроморфными компьютерами, моделирующими работу мозга живого существа (примером может служить чип Intel Loihi). Нейроморфным компьютерам не требуется большой объем памяти из-за особенностей их работы.

Что интересно, ученые Samsung смогли положить недостаток низкого сопротивления MRAM в основу вычислений, оперируя понятием «суммы сопротивлений». Специалистам удалось запустить ИИ для классификации изображений на схемах MRAM и достигнуть точности 98% для рукописных цифр и 93% для лиц. В будущем MRAM найдет свое применение в «технологиях чипов искусственного интеллекта с низким энергопотреблением следующего поколения», и нейроморфных вычислениях.


ЕЩЕ В РАЗДЕЛЕ Технологии

НОВОСТИ С ВИДЕО
ВИДЕО
Alibaba DAMO Academy представила EMO: Система ИИ, оживляющая портреты (ВИДЕО)
Alibaba DAMO Academy представила EMO: Система ИИ, оживляющая портреты (ВИДЕО)
08.03.2024   2996
ВИДЕО
Капсула Varda Space с новейшими лекарствами совершила успешную посадку на Землю
Капсула Varda Space с новейшими лекарствами совершила успешную посадку на Землю
29.02.2024   6449
ВИДЕО
Last Epoch готовится к выходу из раннего доступа: обзор ключевых обновлений версии 1.0
Last Epoch готовится к выходу из раннего доступа: обзор ключевых обновлений версии 1.0
21.02.2024   6538
ВИДЕО
KEK Entertainment готовит зубодробительный танковый шутер «Armor Attack» (ВИДЕО)
KEK Entertainment готовит зубодробительный танковый шутер «Armor Attack» (ВИДЕО)
18.01.2024   6376
ВИДЕО
Banishers: Ghosts of New Eden — атмосферный экшен от Don`t Nod (ВИДЕО)
Banishers: Ghosts of New Eden — атмосферный экшен от Don`t Nod (ВИДЕО)
08.12.2023   8543
ПОПУЛЯРНЫЕ НОВОСТИ

РЕКОМЕНДУЕМ
Сайт может содержать материалы категории 18+    Материалы со знаком   публикуются на правах рекламы.    Размещения рекламы: orderdsffdsg987f@vashgolos.net

При копировании материалов сайта для интернет-изданий обязательна прямая, открытая для поисковых систем гиперссылка.
Администрация сайта не несет ответственности за содержание и достоверность рекламных материалов размещенных на данном сайте, а так же за возможный причененный вред от их использования.

© 2014-2024 "ВАШ ГОЛОС" - vashgolos.net   /   Мнение и взгляды администрации сайта могут не совпадать с мнением или взглядами авторов материала.