Как и ожидалось, модельный ряд твердотельных накопителей Samsung пополнился линейкой 870 QVO на базе 92-слойных микросхем 3D V-NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC)
Как и ожидалось, модельный ряд твердотельных накопителей Samsung пополнился линейкой 870 QVO на базе 92-слойных микросхем 3D V-NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). Устройства выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе, оснащаются интерфейсом SATA 6 Гбит/с и предложены в версиях объёмом от 1 до 8 Тбайт. Сообщает
overclockers.uaПо словам вендора, от выпущенных в 2018 году 860 QVO новинки отличаются увеличенным на 13% быстродействием при случайном чтении/записи. В основе накопителей 870 QVO лежит контроллер Samsung MKX с буфером LPDDR4 на 1-8 Гбайт.
Скорость последовательного чтения достигает 560 Мбайт/с, записи — 530 Мбайт/с, правда, только в рамках SLC-кэша. При выходе за его пределы линейная запись упадёт до 80 Мбайт/с у терабайтной модификации 870 QVO или до 160 Мбайт/с у моделей большего объёма.
Максимальный показатель IOPS равен 98 тыс. операций при чтении и 88 тыс. при записи. На все SSD распространяется трёхлетняя гарантия производителя, а заявленный ресурс составляет от 360 до 2880 Тбайт в зависимости от ёмкости накопителя.
Если говорить о цене, то за Samsung 870 QVO ёмкостью 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ придётся выложить не менее $130, $250 и $500 соответственно. Выход 8-терабайтной модели запланирован на август, её цена, по предварительным данным, составит около 900-1000 долларов.
